EBARA2 6. 이온 주입 및 CMP 공정 핵심 장비사 – Axcelis와 Ebara의 기술력 비교 이온 주입과 CMP 공정이란? 이온 주입(Ion Implantation)과 CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 반도체 공정에서 소재의 특성을 바꾸고, 표면을 평탄하게 만드는 중요한 단계입니다. 이온 주입은 웨이퍼 내부에 전기적 특성을 부여하는 공정이며, CMP는 층간의 높낮이를 제거해 다음 공정의 정밀도를 확보하는 작업입니다. 두 공정 모두 고도의 정밀성과 장비 신뢰성이 필요하며, 미세공정으로 갈수록 그 중요성도 커지고 있습니다. 공정별 주요 장비사 TOP 3 공정장비사주요 특징 이온 주입Axcelis (미국)고에너지 이온 주입 기술, 7nm 이하 대응 이온 주입Applied Materials통합 공정 연계성 강점 CMPEbara (일본).. 2025. 5. 14. 7. 반도체 후공정 – 산화, 평탄화, CMP는 왜 필요할까? 7. 반도체 후공정 – 산화, 평탄화, CMP는 왜 필요할까?식각과 증착을 거치며 회로가 하나씩 쌓이기 시작했지만, 다음 층을 올리기 위해선 표면을 정리하고 보호하는 공정이 꼭 필요합니다. 이 역할을 수행하는 것이 바로 후공정이라 불리는 단계입니다.대표적인 후공정에는 산화(Oxidation), 평탄화(Planarization), 그리고 CMP(Chemical Mechanical Polishing)가 있습니다.1) 산화 공정 – 회로를 보호하고 절연을 만든다산화는 실리콘 웨이퍼 표면에 산소(O₂)나 수증기(H₂O)를 반응시켜 SiO₂(이산화규소) 층을 형성하는 공정입니다.이 절연막은 회로 간 간섭을 줄이고, 표면을 보호하는 역할을 합니다. MOSFET 게이트 산화막이나 인터레벨 절연막으로 주로 사.. 2025. 5. 7. 이전 1 다음