1. 반도체 전공정과 장비 업체

1. DRAM 반도체는 어떻게 만들어질까?

스마트폰, 노트북, 서버 등 다양한 전자기기에 들어가는 DRAM 반도체는 수백 단계의 공정을 통해 생산됩니다. 하지만 실제 공정 흐름은 8개의 핵심 단계로 요약할 수 있습니다. 이 글에서는 DRAM 제조 과정과 각 공정에 사용되는 대표 장비업체를 함께 소개합니다.

2. 반도체 제조 공정 8단계 요약

① 산화 (Oxidation)

웨이퍼 표면에 산화막을 형성해 절연층을 만듭니다. 전류 누설을 방지하고 회로 간 간섭을 차단하는 역할을 합니다.
대표 장비 업체: ASM, TEL

② 포토리소그래피 (Photolithography)

빛과 마스크를 이용해 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하는 공정입니다. 미세화 기술의 핵심이며, 공정 정밀도를 좌우합니다.
대표 장비 업체: ASML, Nikon, Canon

③ 식각 (Etching)

포토 공정에서 형성된 패턴을 기준으로, 불필요한 영역을 제거합니다. Dry Etching 방식이 주로 사용됩니다.
대표 장비 업체: Lam Research, TEL

④ 이온주입 (Ion Implantation)

웨이퍼에 이온을 고속으로 주입하여 전기적 특성을 부여하는 공정입니다. 도핑(Doping)의 한 방식으로, 반도체 스위칭 특성을 제어합니다.
대표 장비 업체: Applied Materials, Axcelis

⑤ 증착 (Deposition)

필요한 절연막이나 금속막을 웨이퍼 위에 얇게 증착하는 공정입니다. CVD, PVD, ALD 방식이 사용됩니다.
대표 장비 업체: Applied Materials, TEL

⑥ 금속배선 (Metallization)

회로 간 전기 신호를 연결하는 금속선을 형성하는 단계입니다. 알루미늄이나 구리 등의 금속이 사용됩니다.
대표 장비 업체: Applied Materials, Lam Research

⑦ CMP (Chemical Mechanical Polishing)

공정 중 생긴 울퉁불퉁한 표면을 평탄하게 만드는 공정입니다. 다음 공정의 정확도를 확보하는 데 매우 중요합니다.
대표 장비 업체: Ebara, Applied Materials

⑧ 패키징 및 테스트

완성된 칩을 절단하고 패키징 하며, 동작 테스트를 수행하는 단계입니다. 수율과 품질 확보를 위한 마지막 핵심 공정입니다.
대표 장비 업체: Advantest, Teradyne